BC847CWH6327, Triode/MOS Tube/Transistor

Infineon Technologies

Загрузка...

Параметры

Категория Triode/MOS Tube/Transistor
Вес, г 1
Collector Cut-Off Current (Icbo) 15nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 45V
Power Dissipation (Pd) 250mW
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 420@2mA,5V
Collector Current (Ic) 100mA
Transition Frequency (fT) 250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@100mA,5mA
Тип NPN

Техническая документация

Аналоги

Купить BC847CWH6327 Infineon Technologies на стоках